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2 x 8GB 16GB RAM Speicher 204 pin DDR3L SO DIMM 1600 Mhz PC3L-12800S 1.35V DDR3
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Hinweis: Die auf dieser Unterseite aufgelisteten Artikel sind keine B-Ware Artikel
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2 x 8GB 16GB RAM Speicher 204 pin DDR3L SO DIMM 1600 Mhz PC3L-12800S 1.35V DDR3
- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität16 GB
- Anzahl der Module2
- FormfaktorSO-DIMM
- Kapazität pro Modul8 GB
- EANnichtzutreffend
- Artikelnr.395389283213
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Samsung (2 X 8GB) PC3L-12800S 2Rx8 DDR3-1600 MHz 204-Pin PC3-12800 RAM --NEU--. Geschwindigkeit: PC3L-12800S 1600MHz. Typ: DDR3 204Pin Laptop-Speicher. Die Abbildungen sind Beispiele. Die genannte Kommunikation wird für einen Zeitraum von zwei Monaten nach Vertragsschluss gespeichert und ist in diesem Zeitraum auf Anforderung beim Verkäufer in Kopie zu erhalten; entsprechendes gilt für die Rechnung für einen Zeitraum von zehn Jahren.".
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- MarkeQumox
- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
- BesonderheitenUnbuffered
- AnwendungsbereichLaptop
- TypDDR3, SODIMM
- SpeichertypDDR3, SODIMM
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- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
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- FormfaktorSO-DIMM
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- BusgeschwindigkeitPC3-14900 (DDR3-1866)
- SpeicherbandbreitePC3-14900 (DDR3-1866)
- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1866 MHz
- Speicher-SpezifikationPC3L-14900S-13
- JEDEC NormPC3L-14900S
- Spannung1.35V
- Chip-Anordnung2Rx8
- Latenz (CL)CL13
- CAS-LatenzCL13
- UnbufferedJA
- EAN4262360571576
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- Busgeschwindigkeit auchPC3-12800S
- MarkeIntel
- ProduktartDDR3 SDRAM
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- Gesamtkapazität8 GB
- ModellDDR3
- Anzahl der Pins204
- EAN0760557828617
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- Anzahl der Pins204
- EAN0760557828617
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- Anzahl der Pins204
- Geschwindigkeit1600 MHz
- CL11
- Rank2Rx8
- MaßeinheitEinheit
- HerstellergarantieUnbekannt
- LängeUnbekannt
- FormfaktorSO-DIMM
- HöheSTD
- BusgeschwindigkeitPC3-12800S
- BreiteUnbekannt
- HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
- MarkeSamsung
- ModellM471B1G73BH0-CK0
- Herstellungsland und -regionChina
- Gesamtkapazität16 GB
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- Speicher-EigenschaftenNon-ECC
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- Kapazität pro Modul8 GB
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- HerstellernummerM471B1G73DB0YK0X2
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkePUSKILL
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- BusgeschwindigkeitPC3L-12800S(DDR3-1600)
- MarkeSamsung 3rd
- ProduktartDDR3L
- Anzahl der Pins204
- Gesamtkapazität8 GB
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- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
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- Anzahl der Module2
- Kapazität pro Modul8GB
- Gesamtkapazität16GB
- FormfaktorSO DIMM 204-pol.
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Bustaktrate1600 MHz
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- JEDEC NormPC3-12800S
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- HerstellernummerF3-1600C9D-16GRSL
- EAN4719692000026
- ProduktartArbeitsspeicher
- Gewicht (kg) Dezimal0.048
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)9
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)28.0
- Speicher Timing - tCL (CAS Latency)9.0
- Speicher Modulbestückung - zweiseitigJa
- Speicher Features - Low-VoltageJa
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,35 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,35 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt800 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale BezeichnungF3-1600C9D-16GRSL
- Gewicht inkl. Verpackung48 g
- SerieSL
- Gewicht48 g
- Gewicht in g48
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- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
- Spannung1,35 V
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- TypDDR4-SDRAM, SO-DIMM
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- MarkeMicron
- Herstellungsland und -regionSüdkorea
- ProduktartDDR3 SDRAM
- Anzahl der Pins260
- Gesamtkapazität16 GB
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Mushkin SO-DIMM 16 GB DDR3-1066 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- EAN0846651016423
- Gewicht39 g
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)7
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)20.0
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- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,425 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,575 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt533 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale Bezeichnung997019
- Gewicht inkl. Verpackung39 g
- Gewicht (kg) Dezimal0.039
- Gewicht in g39
- SerieEssentials
- Hersteller-Artikelnummer997019
- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1066 (PC3-8500)
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- ProduktartDDR3L
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- AngebotspaketNein
- Spannung1.35 Volt
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- Breite3cm
- MarkeNetac
- ModellBasic SO DDR3L-1600
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- MarkeSamsung
- HerstellernummerM471B1G73BH0-CK0
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- SpeicherbandbreiteDDR3-1600 (PC3-12800)
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- BesonderheitenUnbuffered
- MPNM471B1G73BH0-CK0
- Kapazität pro Modul8 GB
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- Anzahl der Module2
- BusgeschwindigkeitPC3-12800 (DDR3-1600)
- EAN4250591498663
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G.Skill SO-DIMM 16 GB DDR3-1600 (2x 8 GB) Dual-Kit, Arbeitsspeicher
- EAN4711148591751
- Gewicht (kg) Dezimal0.125
- Speicher Timing - tRCD (RAS to CAS Delay)11
- Speicher Timing - tRAS (RAS Active Time)28.0
- Speicher Timing - tCL (CAS Latency)11.0
- Speicher Modulbestückung - zweiseitigJa
- Speicher Allgemein - Speicherspannung von1,35 V
- Speicher Allgemein - Speicherspannung bis1,5 V
- Speicher Allgemein - Physikalischer Takt800 MHz
- Speicher Allgemein - Anzahl Module2
- Globale BezeichnungF3-1600C11D-16GSL
- Gewicht inkl. Verpackung125 g
- Gewicht in g125
- Gewicht125 g
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- HauptfarbeKeine Farbangabe
- StandardDDR3-1600 (PC3-12800)
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